逆变电源mos,500v13a场效应管,6450场效应管,KNF6450A参数-KIA MOS管
逆变电源mos,500v13a场效应管,6450场效应管,KNF6450A参数-KIA MOS管
500v13a场效应管,KNF6450A参数
KNF6450A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流13A，专为高压、高速功率开关应用设计，低导通电阻RDS(开启) 0.40Ω，低栅极电荷，最小化开关损耗，稳定可靠；快速恢复体二极管，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；广泛应用于高效开关电源、有源功率因数校正、镇流器、调光器、充电模块；封装形式：TO-220F，散热良好。
详细参数：
漏源电压：500V
漏极电流：13A
导通电阻：0.4Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏极电流：52A
雪崩能量：900mJ
耗散功率：28W
阈值电压：2.0V
总栅极电荷：44nC
输入电容：2149PF
输出电容：211PF
反向传输电容：23PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：24ns
下降时间：34ns
500v13a场效应管,KNF6450A参数
500v13a场效应管,KNF6450A规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
