bldc电机驱动mos管,27a800v场效应管,7880mos管参数-KIA MOS管
27a800v场效应管,7880mos管参数
KNK7880A场效应管漏源击穿电压800V，漏极电流27A，采用先进的平面工艺制造，低导通电阻RDS(开启) 280mΩ，最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，高效率低损耗；具有低栅极电荷、坚固的多晶硅栅极结构，可靠稳定；广泛应用于BLDC电机驱动器、电焊机、高效开关电源、电源分流器、电箱等；封装形式：TO-264，散热良好。
详细参数：
漏源电压：800V
漏极电流：27A
导通电阻：280mΩ
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：108A
雪崩能量单脉冲：4200MJ
总功耗：650W
总栅极电荷：185nC
输入电容：7280PF
输出电容：660PF
反向传输电容：35PF
开通延迟时间：56nS
关断延迟时间：82nS
上升时间：105ns
下降时间：96ns
27a800v场效应管,7880mos管引脚图
27a800v场效应管,7880mos管规格书
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