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40n20场效应管参数,40a200v mos管,KIA40N20AF-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2026-01-28 

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40n20场效应管参数

KIA40N20AF漏源击穿电压200V,漏极电流40A,低导通电阻RDS(开启) 0. 08Ω(最大值),最小化开关损耗,高效低耗,提供卓越的开关性能;具有低栅极电荷、快速切换能力、符合RoHS标准,稳定可靠,适用于DC-DC转换器、UPS、DC-AC转换器以及逆变电路、安防、拉杆音箱、无线充电器等;封装形式:TO-220F,散热良好

详细参数:

漏源电压:200V

漏极电流:40A

导通电阻:0.08Ω

栅源电压:±30V

脉冲漏电流:120A

单脉冲雪崩能量:800MJ

功率耗散:175W

总栅极电荷:50nC

输入电容:1560PF

输出电容:370PF

反向传输电容:150PF

开通延迟时间:26nS

关断延迟时间:141nS

上升时间:32ns

下降时间:83ns

40n20场效应管参数引脚图

40n20场效应管参数

40n20场效应管参数规格书

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