100n03,30v90a mos管,KIA100N03AP场效应管参数引脚图-KIA MOS管
100n03,30v90a mos管参数
KIA100N03AP场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用先进平面条纹DMOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.3mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有增强的dv/dt能力、快速切换，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，绿色设备可用；广泛应用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑以及小功率LED、锂电池保护板等，封装形式：TO-220。
详细参数：
漏源电压：30V
漏电流连续：90A
导通电阻：3.3mΩ
栅源电压：±20A
脉冲漏极电流：360A
雪崩电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：158W
栅极阈值电压：1.6V
总栅极电荷：24nC
输入电容：3070PF
输出电容：400PF
反向传输电容：315PF
开启延迟时间：12.6ns
关断延迟时间：12.6ns
上升时间：42.8ns
下降时间：13.2ns
100n03,30v90a mos管引脚图
100n03,30v90a mos管规格书
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