双MOS管负载开关电路图分享-KIA MOS管
双MOS管负载开关电路
具有反向电流保护的共漏极负载开关，共漏双NMOS
阻断反向电流的常见方法是使用二极管。但是使用MOSFET负载开关可以更有效地实现该功能。为了实现两个电流方向的阻断，必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图，在这种情况下，如果不是两个FET都打开，那么其中总有一个体二极管可以阻断对向的电流。这种方法允许创建两种反向驱动保护负载开关的替代拓扑，背靠背连接漏极或源极，称为共漏极或共源极。
图为共漏极双NMOS高边负载开关，与单NMOS高边负载开关一样，需要有高于Vin的HV_Ctrl驱动。
图为共漏极双PMOS高边负载开关，与单PMOS高边负载开关一样，Ctrl端需要可以达到接近等于或高于Vin的电平，若不能直接施加，则需要增加一个三极管或者MOS管驱动G极。
具有反向电流保护的共源极负载开关，共源双NMOS
共源极拓扑需要访问MOSFET之间的源极连接，G极必须在MOS开启保持电位高于S极，见图。因为公共源极可能会浮动，如果在没有加偏置电阻钳固电位差的情况下，两个NMOS均无法开启。因为Ctrl处的电压不低，钳固电阻可以尽量往高值取，比如1MΩ。
图为共源极双NMOS高边负载开关，与单NMOS高边负载开关一样，需要有高于Vin的HV_Ctrl驱动。
图为共源极双PMOS高边负载开关，与单PMOS高边负载开关一样，Ctrl端需要可以达到接近等于或高于Vin的电平，若不能直接施加，则需要像上节一样增加一个三极管或者MOS管驱动G极。
选型和使用注意
因为仅限于使用在高边开关场景，从设计复杂度上不建议使用NMOS，建议使用双PMOS共漏或共源设计，相关计算和单PMOS负载开关相似。需要注意的是，两个MOS尽量需要保持型号相同，如果选用的两个不一样，可能会因为一致性差的原因导致两个MOS关闭时间不一致或者开启关闭时产生振荡。
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