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10n65场效应管参数
KIA10N65HF场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，低导通电阻RDS(开启) 0.65Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷(典型48nC)，高效低耗；具有快速切换、指定的雪崩能量以及改进的DV/DT功能，稳定可靠，提高开关响应速度，广泛应用于高压、高速功率开关应用中，如高效开关电源、LED驱动、储能电源；封装形式：TO-220F。
详细参数：
漏源电压：650V
漏极电流：10A
导通电阻：0.65Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：40A
雪崩能量单脉冲：709MJ
功率耗散：52W
总栅极电荷：48nC
输入电容：1650PF
输出电容：1665PF
反向传输电容：18PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：140nS
上升时间：70ns
下降时间：80ns
10n65场效应管参数引脚图
10n65场效应管参数规格书
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