1n60场效应管参数引脚图,600v1a mos管,KIA1N60-KIA MOS管
1n60场效应管参数
1n60场效应管漏源电压600V，漏极电流1A，专为高压、高速功率开关应用设计，低导通电阻RDS(开启) 9.3Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值5.0nC），降低开关损耗，性能高效；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力、高坚固性，稳定可靠；适用于开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器及继电器驱动器；封装形式：TO-92、TO-251、TO-252。
详细参数：
漏源电压：600V
漏极电流：1A
导通电阻：9.3Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：4.0A
雪崩能量单脉冲：33MJ
最大功耗：28W
阈值电压：2-4V
输入电容：120PF
输出电容：20PF
反向传输电容：3PF
总栅极电荷：4.8nC
开通延迟时间：7nS
关断延迟时间：13nS
上升时间：21ns
1n60场效应管参数引脚图
1n60场效应管参数规格书
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