4n65场效应管,650v4a mos,KIA4N65HF参数引脚图-KIA MOS管
4n65场效应管,650v4a参数
KIA4N65HF场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；具有低导通电阻RDS(开启) 2.5Ω，低栅极电荷16nC，高效低耗；以及高坚固性、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；非常适合高效开关电源及功率因数校正系统等应用；封装形式：TO-220F。
详细参数：
漏源电压：650V
漏极电流：4A
导通电阻：2.5Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：12A
雪崩能量单脉冲：180MJ
功率耗散：34W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：16nC
输入电容：560PF
输出电容：55PF
反向传输电容：7PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：40ns
下降时间：50ns
4n65场效应管,650v4a参数引脚图
4n65场效应管,650v4a参数规格书
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