dfn3x3封装尺寸,dfn3*3封装尺寸图-KIA MOS管
dfn3x3封装尺寸
DFN3×3封装是一种常见的无引脚双侧扁平封装（DualFlat No-lead），广泛用于功率MOSFET等小型电子元器件，标准尺寸为3mm×3mm。
尺寸参数：
本体尺寸：3mm×3mm（正方形）
厚度：通常为0.75mm
引脚结构：双面无引脚露出（与PDFN3×3不同，后者双面露脚用于散热）
焊盘布局：一般为8个焊端（4边各2个），对应DFN3×3-8L封装类型
注：DFN3×3与PDFN3.3×3.3在尺寸和PCB布局上高度兼容，但PDFN版本本体略大（约3.1×3.1mm），外加引脚后总尺寸为3.3×3.3mm，且具备更好的散热性能。
dfn3*3封装尺寸图
PDFN3.3x3.3与DFN3x3封装在尺寸、引脚布局及安装方式上基本相同。
正方形主体尺寸相差0.1mm，厚度均为0.75mm，PCB布局设计可通用。
PDFN3.3x3.3与DFN3x3封装在尺寸、引脚间距及散热性能上存在差异。
PDFN3.3x3.3封装为正方形，本体尺寸3.1×3.1mm，双面露脚，外露引脚长度与本体合计为3.3×3.3mm。
DFN3x3封装为3x3mm正方形，本体双面均不露引脚。
PDFN3.3x3.3封装尺寸图
PDFN3.3x3.3封装：正方形，含引脚尺寸为3.3×3.3mm，厚度0.75mm，双面露脚设计。
KIA半导体dfn3x3封装引脚图
KIA场效应管DFN3×3 封装（3mm × 3mm 无引脚扁平封装）的核心优点，集中在体积小、散热好、寄生参数低、高频性能强四大方面，非常适合小体积、大功率密度、高频开关场景。
体积最小化 + 散热最大化 + 高频性能最优 + 成本可控，是当前中小功率 MOSFET（尤其 30V~100V）的主流优选封装。
KIA 半导体（可易亚半导体）的 DFN3×3 封装场效应管，以30V N 沟道为主流，覆盖低中高电流（30A~100A+），主要型号及核心参数如下：
主流 N 沟道 MOSFET（DFN3×3）
1. 大电流低内阻系列（电动工具 / 大电流电源）
KNG3303C
VDS: 30V, ID: 90A
RDS(on): 2.6mΩ @ VGS=10V
KNX3403C
VDS: 30V, ID: 80A
RDS(on): 4.3mΩ @ VGS=10V
2. 标准电流系列（锂电池保护 / 负载开关）
KNG3703A (保护板专用)
VDS: 30V, ID: 50A
RDS(on): 7.5mΩ @ VGS=10V
KNX3703A
VDS: 30V, ID: 50A
RDS(on): 7.5mΩ @ VGS=10V
3. 中低电流系列（便携 / 小功率电源）
KNX8103A
联系方式：邹先生
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