尖峰吸收电路,RC吸收电路,RCD吸收电路-KIA MOS管
尖峰吸收电路
尖峰吸收电路是用于抑制开关电路中因寄生参数产生的瞬态过电压（电压尖峰）的保护电路。电压尖峰主要源于开关器件（如MOSFET、IGBT）快速关断时，电路中寄生电感（如变压器漏感、布线电感)电流突变产生的反向电动势，该高压叠加在电源电压上，极易超过器件耐压导致击穿。吸收电路的核心任务是为这部分瞬态能量提供一条低阻抗路径，将其吸收、钳位或消耗，从而将尖峰电压限制在安全范围内。
常见的尖峰吸收电路
RC吸收电路(RC Snubber)
结构：由电阻（R）与电容（C）串联组成，并联在开关器件或噪声源两端。
原理：开关关断时，电容（C）为电压尖峰提供低阻抗充电路径，储存能量以限制电压上升速度（dv/dt)；串联电阻（R）则限制充电电流峰值，并在开关导通期间消耗电容储存的能量，抑制可能的LC谐振振荡。
特点：结构简单、成本低、应用广泛，但能量最终在电阻上以热能形式消耗，会降低系统效率，属于“双向吸收”（对电压上升和下降沿均有作用）。
RCD吸收/钳位电路
结构：由电阻（R）、电容（C）和二极管（D）组成，二极管方向为尖峰能量提供单向通路。
原理：开关关断产生尖峰时，当电压超过电容电压（加二极管压降），二极管（D）迅速导通，引导能量对电容（C)充电，从而将开关管电压钳位；开关导通期间，电容通过电阻（R）放电释放能量。
特点：由于二极管提供了低阻抗充电路径，钳位效果通常优于RC电路，且可采用较大电阻，能量损耗相对较小。在反激式开关电源中应用极为广泛。
RC吸收电路
上图所示是一个RC吸收网络的电路，它是电阻Rs与电容Cs串联的一种电路， 同时与开关并联连接的结构。若开关断开， 蓄积在寄生电感中的能量对开关的寄生电容充电的同时， 也会通过吸收电阻对吸收电容充电。这样， 由于吸收电阻的作用， 其阻抗将变大， 那么， 吸收电容也就等效地增加了开关的并联电容的容量， 从而抑制开关断开的电压浪涌。而在开关接通时， 吸收电容又通过开关放电， 此时， 其放电电流将被吸收电阻所限制。
RCD吸收电路
RCD吸收电路如图所示， 由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成， 其中电阻Rs也可以与二极管VDs并联连接。若开关断开， 蓄积在寄生电感中的能量将通过开关的寄生电容充电， 开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时， 吸收二极管导通， 从而使开关电压被吸收二极管所钳位(约为1 V左右)， 同时寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容则通过电阻放电。
采用RC和RCD吸收电路也可以对变压器消磁， 而不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都会在吸收电阻中消耗掉。RC与RCD吸收电路不仅可以消耗变压器漏感中蓄积的能量， 而且也能消耗变压器励磁能量，因此， 这种方式同时降低了变换器的变换效率。
由于RCD吸收电路是通过二极管对开关电压钳位， 效果要比RC好， 同时， 它也可以采用较大电阻， 但能量损耗也比RC小。
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