2803N沟道,30v150a,to252封装,KND2803C现货促销-KIA MOS管
2803N沟道,30v150a,to252封装,KND2803C现货促销-KIA MOS管
2803N沟道,30v150a参数
原厂优质现货KND2803C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；还具有超低栅极电荷、快速开关以及优异CdV/dt效应衰减、100% ΔVds已测试、100%UIS已测试，在应用中高效稳定可靠，环保无铅；适用于电池保护、电源管理领域中；封装形式：TO-252，体积小、散热出色。
详细参数：
漏源电压：30V
漏极电流：150A
导通电阻：2.4mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：640A
雪崩能量单脉冲：342MJ
总功耗：136W
阈值电压：1.5V
总栅极电荷：80nC
输入电容：3480PF
输出电容：445PF
反向传输电容：380PF
开通延迟时间：9.5nS
关断延迟时间：50nS
上升时间：18ns
下降时间：17.5ns
2803N沟道,30v150a引脚图
2803N沟道,30v150a规格书
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