30vmos管,2803场效应管,30v150a,KND2803T现货批发-KIA MOS管
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2803N沟道,30v150a参数
原厂现货KND2803T场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷、高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效低耗；优异CdV/dt效应衰减、100% ΔVds已测试、100%UIS已测试，在应用中稳定可靠，环保无铅；适用于电池保护、电源管理领域中；封装形式：TO-252，体积小、散热出色。
详细参数：
漏源电压：30V
漏极电流：150A
导通电阻：2.4mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：680A
雪崩能量单脉冲：529MJ
总功耗：143W
阈值电压：1.8V
总栅极电荷：100nC
输入电容：6000PF
输出电容：610PF
反向传输电容：520PF
开通延迟时间：12nS
关断延迟时间：80nS
上升时间：26ns
下降时间：45ns
2803N沟道,30v150a引脚图
2803N沟道,30v150a规格书
联系方式：邹先生
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