30v150a参数,dfn5x6封装,KNY2803T场效应管原厂现货-KIA MOS管
30v150a,KNY2803T参数
KNY2803T场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷、高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效低耗；优异CdV/dt效应衰减、100% ΔVds已测试、100%UIS已测试，在应用中稳定可靠；适用于电池保护、电源管理领域中；封装形式：DFN5*6，散热出色。
详细参数：
漏源电压：30V
漏极电流：150A
导通电阻：2.4mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：600A
雪崩能量单脉冲：342MJ
总功耗：120W
阈值电压：1.5V
总栅极电荷：80nC
输入电容：3480PF
输出电容：445PF
反向传输电容：380PF
开通延迟时间：9.5nS
关断延迟时间：50nS
上升时间：18ns
下降时间：17ns
30v150a,KNY2803T引脚图
30v150a,KNY2803T规格书
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