20n50场效应管,20n50h,500v20a,KIA20N50HF批发-KIA MOS管
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20n50场效应管,500v20a参数
原厂特价现货21n50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用先进的沟槽技术制造，低导通电阻RDS(开启) 0.21Ω，低栅极电荷70nC，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具备快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，在应用中高效稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用设计，如高效开关电源、有源功率因数校正；封装形式：TO-220F，散热良好。
详细参数：
漏源电压：500V
漏极电流：20A
导通电阻：0.21Ω
栅源电压：±30V
单脉冲雪崩能量：1110MJ
功率耗散：41.5W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：70nC
输入电容：2700PF
输出电容：400PF
反向传输电容：40PF
开通延迟时间：100nS
关断延迟时间：100nS
上升时间：400ns
下降时间：100ns
20n50场效应管,500v20a引脚图
20n50场效应管,500v20a规格书
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