28n50mos管,500v大功率场效应管,KIA28N50HH现货批发-KIA MOS管
28n50mos管,500v参数
原厂热销现货KIA28N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt，高效低耗；经过100%雪崩测试、符合RoHS，良好的开关特性，能够承受较大的耐压和电流，稳定可靠；适用于车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等；封装形式：TO-3P，适合大功率应用。
详细参数：
漏源电压：500V
漏极电流：28A
导通电阻：0.16Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：80A
雪崩能量单脉冲：1110MJ
总功耗：138W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：45nC
输入电容：2555PF
输出电容：355PF
反向传输电容：29PF
开通延迟时间：46nS
关断延迟时间：105nS
上升时间：118ns
下降时间：62ns
28n50mos管,500v引脚图
28n50mos管,500v规格书
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