80n04参数,80n04d,40v80a mos管,KNG3404D现货-KIA MOS管
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80n04参数,80n04d
漏源击穿电压（VDSS）：40V
连续漏极电流（ID）：80A
脉冲漏极电流（IDM）：150A至320A
导通电阻（RDS(on））：3.4 mΩ至8.0mΩ
栅源电压（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：52.1W至300W（不同封装与散热条件）
封装形式包括：TO-220/263/252 、DFN3*3，应用于锂电池保护板、同步降压转换器、电机驱动、电源管理电路。
80n04参数代换,KNG3404D参数
优质原厂特价现货KNG3404D可代换80n04场效应管应用，3404场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；具有良好的稳定性及抗冲击能力，低Crss、改进的dv/dt能力、快速切换、经过100%雪崩测试，高效稳定可靠；广泛应用于PWM应用程序、电源管理、负载开关等；封装形式：DFN3*3。
详细参数：
漏源电压：40V
漏极电流：80A
导通电阻：4.4mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
单脉冲雪崩能量：104MJ
功率耗散：36.7W
阈值电压：1.5V
总栅极电荷：58nC
输入电容：3045PF
输出电容：388PF
反向传输电容：234PF
开通延迟时间：6nS
关断延迟时间：23nS
上升时间：17ns
下降时间：12ns
80n04参数代换,KNG3404D引脚图
80n04参数代换,KNG3404D规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
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