2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；高密度单元设计，极低的导通电...2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；高密度单元设计，极低的导通电阻RDS(开启)，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；2306mos管具有低导通电阻、高开...
VT1和VT2构成多谐振荡器，振荡频率为5Hz。当电压下降时，为使频率不变，振荡器...VT1和VT2构成多谐振荡器，振荡频率为5Hz。当电压下降时，为使频率不变，振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压，直接推动VMOS大功率管，经变...
当u2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载RL是的电流...当u2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载RL是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的...
KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2...KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保...
铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的，包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。...铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的，包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。直流电阻损耗由绕组导线的电阻与流过的电流有效值的平方决定，而集肤效应是由于在强...
电阻和电容并联阻抗计算 Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²] 其中： R 为...电阻和电容并联阻抗计算 Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²] 其中： R 为电阻值 XL 为电感的感抗，其公式为 XL = 2πfL，其中 f 为交流电频率，L 为电感值 ...
