KNY3103A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流110A，极低的导通电阻RDS(on)仅为1...KNY3103A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流110A，极低的导通电阻RDS(on)仅为1.9mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速切换、100%雪崩测试、允许...
当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下...当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升...
场效应管有三种组态放大电路，分别是共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路...场效应管有三种组态放大电路，分别是共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路。 （1）共源放大器 如图所示，它相当于晶体三极管中的共发射极放大器，是一种常...
KPE4703A场效应管漏源电压-30V，漏极电流-8A，导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，出色...KPE4703A场效应管漏源电压-30V，漏极电流-8A，导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，出色的RDS(ON)和低栅极电荷，有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率；KPE4703A采用先进...
双极结型晶体管，外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，...双极结型晶体管，外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，主要依靠它的...
由MOS管的结构可以看出，其衬底B与漏极D整好构成一个PN结，这个PN是由于MOS结构...由MOS管的结构可以看出，其衬底B与漏极D整好构成一个PN结，这个PN是由于MOS结构天然而成的，如果将MOS管的各个端进行特殊的连接，就可以得到等效的二极管。
