L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（...L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号是12V峰值的方波，Cgs为MO...
利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则...利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而...
由 Vcc 供电的 LM386 使用电阻器 R1 和电容器 C2。这是为了防止电路振荡。电阻...由 Vcc 供电的 LM386 使用电阻器 R1 和电容器 C2。这是为了防止电路振荡。电阻R2和电容C3在上述电路中起着重要作用，因为它改变了输出中获得的输出增益。增加一个...
增强型MOS管的工作原理基于栅源电压（VGS）的控制。当栅源之间不加电压时，漏源...增强型MOS管的工作原理基于栅源电压（VGS）的控制。当栅源之间不加电压时，漏源之间的PN结是反向的，因此不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，也不会有电流通过...
导通状态 增强型MOS管：需要外部正向偏置电压才能导通。 耗尽型MOS管：在零门...导通状态 增强型MOS管：需要外部正向偏置电压才能导通。 耗尽型MOS管：在零门源电压下即可导通。 关断状态 增强型MOS管：在关断状态下无载流子通道。 耗尽型...
OTL功放的形式：采用单电源，有输出耦合电容。如图所示电路中的R5（150kΩ）与...OTL功放的形式：采用单电源，有输出耦合电容。如图所示电路中的R5（150kΩ）与R4（4.7kΩ）电阻决定放大器闭环增益，R4电阻越小增益越大，但增益太大也容易导致信...
