应用领域-KIA半导体-广东可易亚半导体科技有限公司

MOS管开关电路,开关电路图实例分析-KIA MOS管

导通条件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是为了给G、S之间创造一个Vgs电压，不需要去...导通条件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是为了给G、S之间创造一个Vgs电压，不需要去关心G、D之间的电压关系（只要没有达到击穿电压）。另外S极不一定需要接地，只需要满...

MOS管的开关特性,MOS管开关电路的连接方法-KIA MOS管

当栅极（G）接高电平时，源极（S）和漏极（D）之间的导电通道被打开，电流可以...当栅极（G）接高电平时，源极（S）和漏极（D）之间的导电通道被打开，电流可以通过；当栅极接低电平时，导电通道被关闭，电流无法通过。因此，通过控制栅极的电平...

逆变电源,逆变器防反接保护电路分享-KIA MOS管

当电池极性未接反时，D正偏导通，Q的GS极由电池正极经过F、R1、D回到电池负极得...当电池极性未接反时，D正偏导通，Q的GS极由电池正极经过F、R1、D回到电池负极得到正偏而导通。Q导通后的压降比D的压降小得多，所以Q导通后会使D得不到足够的正向电...

逆变器短路保护,逆变器的过流短路保护电路-KIA MOS管

R5为全桥高压逆变MOS管源极的高压电流取样电阻，可以这么理解，高压电流的大小...R5为全桥高压逆变MOS管源极的高压电流取样电阻，可以这么理解，高压电流的大小基本上决定了输出功率的大小，所以用R5检测高压电流的大小。图中LM339的两个比较器单...

IGBT驱动电路保护设计（适用于MOS管）-KIA MOS管

IGBT是由一个N沟道的MOS管FET和一个PNP型GTR组成，以GTR为主导器件，MOS管为驱...IGBT是由一个N沟道的MOS管FET和一个PNP型GTR组成，以GTR为主导器件，MOS管为驱动器件。GiantTransistor-GTR电力晶体管。这也导致其性能上与MOS管有所差异。注意区...