全桥逆变器使用四个开关管，而半桥逆变器使用两个开关管。和半桥相比，全桥的开...全桥逆变器使用四个开关管，而半桥逆变器使用两个开关管。和半桥相比，全桥的开关管数量增加了一倍，但是在相同的开关电流下，全桥电路的输出功率是半桥的两倍。
如果没有二极管，当开关管导通时，电容的放电路径会增加，导致能量的不必...如果没有二极管，当开关管导通时，电容的放电路径会增加，导致能量的不必要损失，降低电路效率。二极管的加入有效地阻止了这种能量损失，提高了电路的...
nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值...nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。...
在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出...在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出现一些效应。这些效应主要包括阈值电压Vth随着沟道长度降低而降低，载流子表面散射...
当P型半导体和N型半导体接合在一起时，由于P型半导体中的空穴浓度较高，而N型半...当P型半导体和N型半导体接合在一起时，由于P型半导体中的空穴浓度较高，而N型半导体中的电子浓度较高，因此会形成扩散运动，并且P型半导体中的空穴将向其浓度较低...
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现...对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。 PN结的击穿主要分为三...
