沟道调制效应是指MOS晶体管中，当栅下沟道预夹断后，若继续增大漏源电压...沟道调制效应是指MOS晶体管中，当栅下沟道预夹断后，若继续增大漏源电压（Vds），夹断点会略向源极方向移动，导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效...
静电保护器件（ESD） 是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定...静电保护器件（ESD） 是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。ESD反向并联于电路中，当电路正常工作时，ESD处于截...
硬件原理图的英文缩写-常用控制接口 EN：Enable，使能。使芯片能够工作。要用...硬件原理图的英文缩写-常用控制接口 EN：Enable，使能。使芯片能够工作。要用的时候，就打开EN脚，不用的时候就关闭。有些芯片是高使能，有些是低使能，要看规格...
制作反极性保护电路的正确方法是使用简单的PMOS或NMOS。建议使用PMOS，因为PMO...制作反极性保护电路的正确方法是使用简单的PMOS或NMOS。建议使用PMOS，因为PMOS会切断正轨，电路不会获得任何电压，如果电路在高直流电压下工作，则产生有害后果的...
KIA830H场效应管可以替代irf830,5n50型号应用在HD安定器、适配器、充电器和SMP...KIA830H场效应管可以替代irf830,5n50型号应用在HD安定器、适配器、充电器和SMPS备用电源中；KIA830H性能出色，漏源电压500V，漏极电流5A，开启状态下的电阻为1.0Ω...
栅极（Gate,G）：控制MOSFET导通或截止的引脚。在NMOS中，当栅极电压高于源极电...栅极（Gate,G）：控制MOSFET导通或截止的引脚。在NMOS中，当栅极电压高于源极电压一定阈值（Vth）时，MOSFET开始导通；在PMOS中，则是当栅极电压低于源极电压一定...
