金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有...金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共...
于不同场合的遥控设备，发射电路的组成是不同的，如在近距离对家用电器或玩具进...于不同场合的遥控设备，发射电路的组成是不同的，如在近距离对家用电器或玩具进行遥控，发射电路输出的功率只要10～20mW就够了，没有必要有中间放大级及高频功率放...
三极管自锁电路是利用三极管放大倍数以及正反馈效应构成的一种电路。在某些需要...三极管自锁电路是利用三极管放大倍数以及正反馈效应构成的一种电路。在某些需要稳定化输出的场合，可以采用三极管自锁电路来保证输出的恒定。
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。
电路中C1是输入耦合，C2是输出耦合，耦合电容的大小及谐振频率根据电路的信号频...电路中C1是输入耦合，C2是输出耦合，耦合电容的大小及谐振频率根据电路的信号频率来选择，如高频0.001-0.1UF，音频1-22UF，当然这只是一参考值，主要根据实际调试...
KNX43100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为4A；RDS (on) = 2...KNX43100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为4A；RDS (on) = 2.2mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点...
