所有的MOS管导通后都存在导通内阻，当电流流过之后就会产生功率损耗，一般用RD...所有的MOS管导通后都存在导通内阻，当电流流过之后就会产生功率损耗，一般用RDS(ON)来表示，传导损耗一般来说和MOS的大小成反比，体积越大，其导通电阻一般能做的...
如图1所示为SiC MOSFET的半桥应用电路，上管QH开通过程会在桥臂中点产生高速变...如图1所示为SiC MOSFET的半桥应用电路，上管QH开通过程会在桥臂中点产生高速变化的dv/dt，下管Vds电压变化通过米勒电容CGD产生位移电流，从而在门极驱动电阻和寄生...
通过调节RON/ROFF 的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大RON/ROFF来减...通过调节RON/ROFF 的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大RON/ROFF来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。
图1显示了米勒效应带来的误开通。当 MOSFET 关断而对管导通时， Vds 电压快速的...图1显示了米勒效应带来的误开通。当 MOSFET 关断而对管导通时， Vds 电压快速的上升产生高的 dv/dt，从而在电容 Cgd 中产生位移电流( igd)。
当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开...当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开关速度越快，偏移的影响就越明显。图1为MOS管的关断损耗测量原理图，由此可见，只有...
一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通...一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为...
