由此可以看出，当FC增大时，S变小，则集肤深度越深，同时其交流阻抗Z= KZC（FC...由此可以看出，当FC增大时，S变小，则集肤深度越深，同时其交流阻抗Z= KZC（FC）1/2也变大，因此在相同数值的电流作用下，负载所获得的能量也越高，而电流及线路损...
稳压二极管由于具有稳压作用，因此在很多电路当中均有应用，广泛用在稳压电源、...稳压二极管由于具有稳压作用，因此在很多电路当中均有应用，广泛用在稳压电源、电子点火器、直流电平平移、限幅电路、过压保护电路、补偿电路等当中。
稳压二极管（齐纳二极管）是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管；...稳压二极管（齐纳二极管）是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管；是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
继电器是控制电路中常用的一种元件，利用电磁感应原理，控制某一回路的接通或断...继电器是控制电路中常用的一种元件，利用电磁感应原理，控制某一回路的接通或断开，实现用小电流控制大电流，从而减小控制开关触点的电流负荷，保护开关触点不被烧...
该电路属于自励、反激式、变压器耦合型、PWM开关电源；电源变换过程：交流（AC...该电路属于自励、反激式、变压器耦合型、PWM开关电源；电源变换过程：交流（AC，输入市电）→直流（DC）→交流（AC，高频）→直流（DC，输出）；电路由整流、振荡...
以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可...以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可忽略，沟道电压降增大直至Vgd=VT时，由于栅漏之间电压差降低，漏端附近反型层消失，...
