普遍来说，最高效的方式开始都是恒流充电（充电速度较快)，然后是恒压充电（充...普遍来说，最高效的方式开始都是恒流充电（充电速度较快)，然后是恒压充电（充电速度下来了，因为电池本身的电压上去了)，最后是涓流充电（在充满电后，补偿因自放...
KNH8150A 30A 500V产品特征 先进的平面加工技术 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10...KNH8150A 30A 500V产品特征 先进的平面加工技术 RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低栅极电荷使开关损耗最小化 坚固的多晶硅栅极工艺
1.如果使用过温保护功能R3为悬空(不焊接)状态。同时需要把RNTC以及R4焊接上。 ...1.如果使用过温保护功能R3为悬空(不焊接)状态。同时需要把RNTC以及R4焊接上。 2.如果不使用过温保护，R3接入1k左右电阻，同时RNTC、R4为悬空状态。
U相N下管：mcu的5v管脚控制导通，0控制关断。 U相N上管：在U相下管导通的时候...U相N下管：mcu的5v管脚控制导通，0控制关断。 U相N上管：在U相下管导通的时候，U相对应的自举电路电容是在充电的，此时UGH的控制脚UH为1，将UGH拉在GND上，保证上...
当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0...当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0.7），此时Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
当KEY输出为低电平时，Q1的栅源电压Vgs=0，Q1不导通。因为Q1不导通，所以Q2的栅...当KEY输出为低电平时，Q1的栅源电压Vgs=0，Q1不导通。因为Q1不导通，所以Q2的栅源之间电压相等，所以Q2也不导通，所示VOUT没有输出。
