回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS ...回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控硅(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。 非回滞类的ESD器件包括二极管、...
齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） ：利用齐纳二极管的反向击穿特...齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） ：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例...
在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在...在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线...
1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的...1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。
短路故障是导致SiC MOSFET失效的重要原因之一，尽管SiC MOSFET具有较好的导热性...短路故障是导致SiC MOSFET失效的重要原因之一，尽管SiC MOSFET具有较好的导热性能，但与Si器件和SiC MOSFET的短路性能相比，SiC MOSFET的短路保护在以下几个方面更...
输入浪涌电流：通常在开关电源启动时，可能需要输入端的主电网提供短时间的大电...输入浪涌电流：通常在开关电源启动时，可能需要输入端的主电网提供短时间的大电流脉冲，这种电流脉冲通常被称为输入浪涌电流。
