当PWM为低电平时，Q2关闭，Q1打开，C1开始放电，放电回路是C1-C2-D1，这实际上...当PWM为低电平时，Q2关闭，Q1打开，C1开始放电，放电回路是C1-C2-D1，这实际上也是对C2进行充电的过程。C2充好电后，下正上负，如果VCC的电势为5点几伏，就可以输...
DC-DC包括boost（升压）、buck（降压）、Boost/buck（升/降压）和反相结构，具...DC-DC包括boost（升压）、buck（降压）、Boost/buck（升/降压）和反相结构，具有高效率、高输出电流、低静态电流等特点，随着集成度的提高，许多新型DC-DC转换器的...
由于 PMOS 它的输入端是接在它的源极上(如下图)，而门级是需要低于源极才能是它...由于 PMOS 它的输入端是接在它的源极上(如下图)，而门级是需要低于源极才能是它导通，所以这个就是 PMOS 的 LDO 在驱动上天生的要比 NMOS 的 LDO 简单。
下面这幅简化的原理图中示出了经由 NMOS 传输元件留至负载的电流。这里所使用的...下面这幅简化的原理图中示出了经由 NMOS 传输元件留至负载的电流。这里所使用的栅极至源极电压(VGS)用于说明原理。 NMOS LDO 它同样是采用一对电阻来采样输出电压...
常见的LDO是由P管构成的，LDO效率比较低，因此一般不会走大电流。针对某些大电...常见的LDO是由P管构成的，LDO效率比较低，因此一般不会走大电流。针对某些大电流低压差需求的场合，N管LDO应运而生。下图是PMOS和NMOS LDO的系统框图对比，下面先...
KNX4390A是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，先进的工艺使得该产品具有较低...KNX4390A是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，先进的工艺使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于PD快充电源、...
