图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的...图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的LSNB 必须比LTRACE 小。由于CSNB 中积蓄的能量基本不放电，静电容量越大电压尖峰抑...
RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn O...RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn ON 时CSNB 中积存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，当开关频率变高时，RSNB 所消耗的...
半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设...半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设计方法说明了漏极源极之间的电压尖峰是由于在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路...
对于小功率电源(50W以内)MOS管的驱动电路设计相对简单，只需要一个驱动电阻Rg即...对于小功率电源(50W以内)MOS管的驱动电路设计相对简单，只需要一个驱动电阻Rg即可对MOS管进行驱动。此时的驱动开通电阻和关断电阻阻值一致。
所有的MOS管导通后都存在导通内阻，当电流流过之后就会产生功率损耗，一般用RD...所有的MOS管导通后都存在导通内阻，当电流流过之后就会产生功率损耗，一般用RDS(ON)来表示，传导损耗一般来说和MOS的大小成反比，体积越大，其导通电阻一般能做的...
如图1所示为SiC MOSFET的半桥应用电路，上管QH开通过程会在桥臂中点产生高速变...如图1所示为SiC MOSFET的半桥应用电路，上管QH开通过程会在桥臂中点产生高速变化的dv/dt，下管Vds电压变化通过米勒电容CGD产生位移电流，从而在门极驱动电阻和寄生...
