通过调节RON/ROFF 的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大RON/ROFF来减...通过调节RON/ROFF 的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大RON/ROFF来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。
图1显示了米勒效应带来的误开通。当 MOSFET 关断而对管导通时， Vds 电压快速的...图1显示了米勒效应带来的误开通。当 MOSFET 关断而对管导通时， Vds 电压快速的上升产生高的 dv/dt，从而在电容 Cgd 中产生位移电流( igd)。
当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开...当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开关速度越快，偏移的影响就越明显。图1为MOS管的关断损耗测量原理图，由此可见，只有...
一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通...一般来说，开关管工作的功率损耗原理图如图1所示，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量体现在“导通状态”，而关闭状态的损耗很小几乎为...
下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。该LED驱动电路是DC/DC转换器通过临...下面的电路摘自实际LED照明电路的相关部分。该LED驱动电路是DC/DC转换器通过临界模式（BCM）的PFC向LED供电的。
双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该...双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性，还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复...
