对于NMOS，当衬源PN结正偏时，会带来闩锁效应（Latch-up），所以VBS<0，背栅效...对于NMOS，当衬源PN结正偏时，会带来闩锁效应（Latch-up），所以VBS<0，背栅效应会导致阈值电压变大，电流IDS减小。
前级同向端输入电压信号给LM324,运放负自身负反馈需要动态平衡，此时，同相端、...前级同向端输入电压信号给LM324,运放负自身负反馈需要动态平衡，此时，同相端、反相端电压相等(V+=V-)。由此R1上的电压就是同相端输入电压，R1采样电阻上流过的恒...
Vds与Vdsat的关系 Vds > Vdsat时，region变为2，为了保证PVT下电路仍处于饱和...Vds与Vdsat的关系 Vds > Vdsat时，region变为2，为了保证PVT下电路仍处于饱和区，需要让Vds -Vdsat大于某个经验值。
MOS管的源端和漏端分别接Vg和Vd，可设置Vg为3.3V，Vd为变量，设置变量Vd值为3....MOS管的源端和漏端分别接Vg和Vd，可设置Vg为3.3V，Vd为变量，设置变量Vd值为3.3V，dc仿真并对design variable ——Vd进行扫描，扫描范围选择0-3.3V，扫描方式选择...
上图可见，DCM和CCM是固定频率的，CRM是可变频率的。其中Id为副边的输出电流。...上图可见，DCM和CCM是固定频率的，CRM是可变频率的。其中Id为副边的输出电流。分析上图，可知CCM模式下，电流不会趋于0。DCM模式下，电流会趋于0，并且有一定的死...
图中V为全控型器件，选用IGBT;D为续流二极管。由图中V的栅极电压波形UGE可知，...图中V为全控型器件，选用IGBT;D为续流二极管。由图中V的栅极电压波形UGE可知，当V处于通态时，电源Ui向负载供电，UD=Ui。当V处于断态时，负载电流经二极管D续流，...
