结电容”的定义适用于所有的FET,并不局限于VMOS,也适用于所有的VMOS晶体管,...结电容”的定义适用于所有的FET,并不局限于VMOS,也适用于所有的VMOS晶体管,只是测定方法与标识方法有差异。实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯...
从图5可以发现,超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应,与其漏极源极所加电压VDS直...从图5可以发现,超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应,与其漏极源极所加电压VDS直接相关,这种效应大多发生在低压阶段,这也表明,超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应...
理论上,ZVS软开关过程中,COSS电容充放电,基本上没有损耗。实际应用中却发现...理论上,ZVS软开关过程中,COSS电容充放电,基本上没有损耗。实际应用中却发现,功率MOSFET在ZVS软开关过程中,COSS电容充放电过程存在一定的额外损耗,无法恢复存...
1. 势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半导体结合后,由于浓度差导致N型半导体...1. 势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半导体结合后,由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中,因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区(...
单位面积容值 相同的单位面积容值,电容值 MIM < MOM,MIM 约是1/3 MOS电容值...单位面积容值 相同的单位面积容值,电容值 MIM < MOM,MIM 约是1/3 MOS电容值。
MOS 电容:两端结构的mos管,电容值不精确,可以实现随控制电压变化而变化的容...MOS 电容:两端结构的mos管,电容值不精确,可以实现随控制电压变化而变化的容值,上下极板接法不可互换。