KIA3402采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（开）、低栅电荷和栅电压低至2.5V。...KIA3402采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（开）、低栅电荷和栅电压低至2.5V。3402场效应管适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。KIA3402（绿色产品）提供无...
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅...KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。3400场效应管适用于负载开关或PWM应用。
KNX3302A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流85A，RDS(on)...KNX3302A场效应管采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流85A，RDS(on)=3.8mΩ(typ.) @ VGS=4.5V，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操...
jmte3003a,3003场效应管参数 30V，150A RDS（ON）<2.9mΩ@VGS=10V RDS（ON）...jmte3003a,3003场效应管参数 30V，150A RDS（ON）<2.9mΩ@VGS=10V RDS（ON）<6.5mΩ@VGS=4.5V
KNX9103A场效应管是一款具有先进的沟槽工艺技术的高性能器件，漏源击穿电压30V...KNX9103A场效应管是一款具有先进的沟槽工艺技术的高性能器件，漏源击穿电压30V，漏极电流40A，采用了超低导通电阻的高密度电池设计，具有非常优秀的电气特性；RDS...
KIA40N06B场效应管采用先进的高细胞密度沟槽技术，具备出色的性能，漏源击穿电...KIA40N06B场效应管采用先进的高细胞密度沟槽技术，具备出色的性能，漏源击穿电压60V，漏极电流38A，在VDS为60V时，RDS（开启）仅为14mΩ，表现出卓越的导通能力、...
