KIA 原厂 KNP2404A TO-220 直插 MOS 管，40V/190A，Rds (on) 仅 2.2mΩ，529mJ...KIA 原厂 KNP2404A TO-220 直插 MOS 管，40V/190A，Rds (on) 仅 2.2mΩ，529mJ 超高雪崩耐量，解决大功率电源发热、浪涌炸管痛点，适配开关电源、DC-DC 储能，现货...
KCY2604A 规格书 DFN5*6 40V175A N 沟道 SGT MOSFET 原厂现货 SGT 先进工...KCY2604A 规格书 DFN5*6 40V175A N 沟道 SGT MOSFET 原厂现货 SGT 先进工艺｜175A 超大通流｜1.4mΩ 超低内阻，解决电源高温、转换效率低痛点 ...
KIA 原厂 KCB2904A TO-263 贴片 MOS 管，45V/130A SGT 工艺，Rds (on) 仅 2.0m...KIA 原厂 KCB2904A TO-263 贴片 MOS 管，45V/130A SGT 工艺，Rds (on) 仅 2.0mΩ，低输入电容降低开关损耗，解决快充发热、并联均流差难题，适配快充同步整流、BM...
KIA 原厂 KNB2904A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道功率 MOS，额定 40V 耐压、130A ...KIA 原厂 KNB2904A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道功率 MOS，额定 40V 耐压、130A 连续电流，典型 Rds (on)=2.5mΩ，单脉冲雪崩能量 250mJ，结壳热阻仅 0.96℃/W。完美...
KIA 原厂 KND2904A TO-252 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、130A 连...KIA 原厂 KND2904A TO-252 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、130A 连续电流，典型 Rds (on)=2.5mΩ，单脉冲雪崩能量 250mJ，结壳热阻仅 0.96℃/W。完美...
IA 原厂 KNB3004A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、120A 连...IA 原厂 KNB3004A TO-263 (DPAK) 沟槽 N 沟道 MOS 管，额定 40V 耐压、120A 连续电流，典型 Rds (on)=3.8mΩ，单脉冲雪崩能量 324mJ，结壳热阻仅 1.1℃/W。完美解...
