KNE7106B SOP8 双路 N 沟道 MOSFET，额定 65V / 单管 20A，导通内阻仅 14.5mΩ...KNE7106B SOP8 双路 N 沟道 MOSFET，额定 65V / 单管 20A，导通内阻仅 14.5mΩ，解决多路电源 PCB 布线拥挤、开关发热、静电击穿、需额外驱动电路等客户痛点。支持...
KNB2706A TO-263 贴片 N 沟道 MOSFET，额定 60V/150A，导通内阻仅 2.8mΩ，解决...KNB2706A TO-263 贴片 N 沟道 MOSFET，额定 60V/150A，导通内阻仅 2.8mΩ，解决电源 MOS 发烫、重载压降大、整流炸管等客户痛点。TO-263 贴片适配 SMT 自动化产线...
KIA2806AH TO-3P 大功率 N 沟道 MOSFET，额定 60V/150A，导通内阻仅 3.5mΩ，解...KIA2806AH TO-3P 大功率 N 沟道 MOSFET，额定 60V/150A，导通内阻仅 3.5mΩ，解决电源发烫、带载压降大、雪崩击穿等客户痛点。TO-3P 封装散热强，最大耗散 330W，...
KIA 原厂 KNH2906C TO-3P 大功率直插 N 沟道 MOSFET，耐压 60V 持续电流 130A，...KIA 原厂 KNH2906C TO-3P 大功率直插 N 沟道 MOSFET，耐压 60V 持续电流 130A，典型 Rds (on)=4.7mΩ 发热更低，低栅极电荷大幅降低开关损耗，出厂 100% 耐压、UI...
KIA 原厂 KNB2906C TO-263 贴片 N 沟道 MOSFET，耐压 60V 持续电流 130A，典型...KIA 原厂 KNB2906C TO-263 贴片 N 沟道 MOSFET，耐压 60V 持续电流 130A，典型 Rds (on)=4.6mΩ 低发热，低栅极电荷开关损耗小，出厂 100% 耐压、UIS 雪崩检测，可...
KIA 原厂 KNP2906C TO-220 N 沟道功率 MOSFET，耐压 60V 持续电流 130A，典型 ...KIA 原厂 KNP2906C TO-220 N 沟道功率 MOSFET，耐压 60V 持续电流 130A，典型 Rds (on)=4.6mΩ，低栅极电荷开关损耗低，100% 耐压雪崩全检，可直接替代 IRFP3206、...
