KIA2807N场效应管采用超低导通电阻的高密度电池设计，漏源击穿电压75V，漏极电...KIA2807N场效应管采用超低导通电阻的高密度电池设计，漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿...
KIA3407A场效应管采用先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，RDS...KIA3407A场效应管采用先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，RDS(ON)最大10.8mΩ（在VGS=10V时）；通过超低导通电阻的高密度电池设计，确保运行高效...
KNB2806A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值...KNB2806A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；具有100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备（符合RoH...
KIA2806A场效应管替代150N06B场效应管应用在逆变器、锂电池保护板、电源管理中...KIA2806A场效应管替代150N06B场效应管应用在逆变器、锂电池保护板、电源管理中，KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V...
KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，...KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，RDS（开启）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低栅电荷、低反馈电容、开...
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（...KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值），最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩、电...
