KIA3510A漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（打开）=14mΩ（max）@VGS=10V，...KIA3510A漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（打开）=14mΩ（max）@VGS=10V，具有低栅极-漏极电荷可降低开关损耗、100%雪崩测试、可靠且坚固、提供无铅和绿色设备...
KIA6110是性能出色的沟槽N沟道MOSFET，先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压...KIA6110是性能出色的沟槽N沟道MOSFET，先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应...
KPD8610A是一款P沟道MOSFET，采用先进的高密度沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏...KPD8610A是一款P沟道MOSFET，采用先进的高密度沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V，具有超低栅电荷、优异的cdv/dt效应降低等...
NCE01P30K代换场效应管KIA35P10A是一款电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSF...NCE01P30K代换场效应管KIA35P10A是一款电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35...
nce01p18k参数代换KIA23P10A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流为-23A，RDS（...nce01p18k参数代换KIA23P10A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流为-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的R...
NCE80H16代换KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为150A，RDS（ON）=4....NCE80H16代换KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为150A，RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA2808A场效应管具有100%雪崩测试，无铅和绿色设备可用（...
