KIA3506A漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；...KIA3506A漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试；KIA3506A可以代换RU6070L、CEP6086、STF140N6...
低内阻MOS管KIA50n06漏源击穿电压60V，漏极电流为50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =1...低内阻MOS管KIA50n06漏源击穿电压60V，漏极电流为50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =10V；具有低Rds开启，可将传导损耗降至最低、高雪崩电流等特点；KIA50n06可以代换SQD...
低压小功率MOS管KIA30N06B漏源击穿电压60V，漏极电流为25A，RDS(on) =25mΩ@ V...低压小功率MOS管KIA30N06B漏源击穿电压60V，漏极电流为25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先进的高密度沟槽技术制造，封装形式：TO-251/252。KIA30N06B3场效应管可以...
KIA100N03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；...KIA100N03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；KIA100N03场效应管非常适合应用于小功率LED、锂电池保护板等产品领域，KIA100N03场效...
KIA7P03A场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流为-7.5A；采用先进的高密度沟槽技...KIA7P03A场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流为-7.5A；采用先进的高密度沟槽技术，具有超低栅电荷、优良的CDV / dt效应递减等；封装形式：SOP-8。KIA7P03A场效应管...
2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；极低RDS（on）的高密度单元设计...2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。2306场效应管非常适合应用于LED感应灯、...
