电机驱动mos管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流27A，RDS (on) = 280mΩ...电机驱动mos管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流27A，RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V，低栅极电荷最小化开关损耗；该器件采用先进平面工艺，高效率低损耗...
电源专用mos管KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（...电源专用mos管KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；提供无铅和绿色...
KNP2908B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压80V，漏极电流130A，提供优异的RDS（...KNP2908B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压80V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，低RDS（ON）的高密度电池设计、完全表...
KCX3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电...KCX3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，具有低RDS（开启）和FOM、卓越的稳定性和...
KIA40N20A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，...KIA40N20A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切换、低电阻、低栅极电荷特性，符合RoHS，高效率低损耗、稳定可靠，适用于...
KCT1810A功率MOSFET采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流240A，极低...KCT1810A功率MOSFET采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流240A，极低的导通电阻RDS（开启）典型值=1.6mΩ@VGS=10V，减小损耗；具有优秀的栅极电荷x RDS（...
