MOS管KNX3206A产品特征 1、RDS(ON)=6.5mΩ(类型)@VGS=10V 2、低RDS(ON)...MOS管KNX3206A产品特征 1、RDS(ON)=6.5mΩ(类型)@VGS=10V 2、低RDS(ON)以减小导电损耗 3、低门电荷在快速开关中的应用 4、优化的BVDSS性能
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者...mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都...
MOS管60V80A KNX3406A产品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供无铅和绿色...MOS管60V80A KNX3406A产品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供无铅和绿色设备 低无线电数据系统开启,以减少传导损耗 高雪崩电流
KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,它提供了优良的RDS(ON)...KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,它提供了优良的RDS(ON)和大多数同步降压变换器应用的栅极电荷。KNX3706A满足RoHS和绿色产品的要求,100%EA...
KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器...KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B满足RoHS和绿色产品要求,100%的EAS保...
1、KIA2404A产品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度电池设计...1、KIA2404A产品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度电池设计 超低电阻 100%雪崩测试 无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准)