40V150A参数规格 KIA2804N产品特征 1、RDS(on)=3.0m@VGS=10V 2、超高密度电...40V150A参数规格 KIA2804N产品特征 1、RDS(on)=3.0m@VGS=10V 2、超高密度电池设计 3、超低导通电阻 4、快恢复体二极管 5、无铅和绿色设备(符合RoHS)
30V85AMOS管 KNX3403A产品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 无铅绿色设备 降低导...30V85AMOS管 KNX3403A产品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 无铅绿色设备 降低导电损耗 高雪崩电流
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在...晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆...
场效应管可分为结型场效应管(简称JFET)和绝缘栅场效应管(简称MOS管或MOSFET...场效应管可分为结型场效应管(简称JFET)和绝缘栅场效应管(简称MOS管或MOSFET)两种。每种又可分为N沟道和P沟道两类,N沟道和P沟道场效应管工作原理相同,只是工...
KIA2803A,AON6512两个型号的具体参数、封装、电路特征等。 (一)AON6512参数...KIA2803A,AON6512两个型号的具体参数、封装、电路特征等。 (一)AON6512参数 电流:150A 电压:30V 漏源电压:30V 栅源电压:±20V 雪崩电流:70A 雪崩能...
这种功率MOSFET是使用KIA的先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术特别...这种功率MOSFET是使用KIA的先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术特别适合最小化状态上的电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下经受高能量脉冲。...