MOS管 KNX2810A 150A/100V产品特点： RDS(on)=5.0mΩ @VGS=10V 超高密度电池...MOS管 KNX2810A 150A/100V产品特点： RDS(on)=5.0mΩ @VGS=10V 超高密度电池设计 超低导通电阻 雪崩测试100% 提供无铅和绿色设备（符合RoHS）
安森美半导体，致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安...安森美半导体，致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、...
本文主要是以tip42c参数 tip42c引脚图电路图 tip42c这几个方面去写。tip42是由...本文主要是以tip42c参数 tip42c引脚图电路图 tip42c这几个方面去写。tip42是由美国得克萨斯仪表公司生产的，应用材料是SI-NPN.应用于低频，音频，或功率放大之用，...
MOS管 KNX7610A 25A/100V参数： 型号：KNX7610A 工作方式：25A/100V 漏源极...MOS管 KNX7610A 25A/100V参数： 型号：KNX7610A 工作方式：25A/100V 漏源极电压：100V 脉冲漏电流:100A 栅源电压:±20V 单脉冲雪崩能量:90MJ 功耗:60W 二...
国产高压MOS管公司简介：深圳市可易亚半导体科技有限公司（简称KIA半导体）.是...国产高压MOS管公司简介：深圳市可易亚半导体科技有限公司（简称KIA半导体）.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，...
n沟道结型场效应管由一个被一个p型掺杂（阻碍层）环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂...n沟道结型场效应管由一个被一个p型掺杂（阻碍层）环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂上连有汲极（也称漏极，来自英语Drain，因此也称D极）和源极（来自英语Source，因此...
