对于常规VDMOS器件结构,Rdson 与BV这一对矛盾关系,要想提高BV ,都是从减小EPI...对于常规VDMOS器件结构,Rdson 与BV这一对矛盾关系,要想提高BV ,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI 参杂浓度减小了,电阻必然变大...
场效应管时间继电器如何工作? 场效应管具有极高的输入阻抗,导通时从电源输入...场效应管时间继电器如何工作? 场效应管具有极高的输入阻抗,导通时从电源输入的电流几乎可以忽略。因此允许采用很大的充电电阻,有利于比延时的提高。 (1)电...
IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-产品特征 KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的...IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-产品特征 KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的型号,下面介绍一下IRFB3607代替型号的参数、封装等详情。 1、RDS(ON)=7mΩ@VGS=1...
下面以N沟道结型场效应管为例说明场效应管的特性。图1.1为场效应管的漏极特性曲...下面以N沟道结型场效应管为例说明场效应管的特性。图1.1为场效应管的漏极特性曲线。输出特性曲线分为三个区:可变电阻区、恒流区和击穿区 。
型号:KNB3308B 电流:80A 电压:80V 漏源极电压:80V 栅源电压:±25V 雪...型号:KNB3308B 电流:80A 电压:80V 漏源极电压:80V 栅源电压:±25V 雪崩电流:40A 雪崩能源:440MJ 接头和储存温度范围:-55℃至+175℃
国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息详细...国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息详细介绍。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端...