120V130A低内阻MOS管 KNX2912A产品描述: KNX2912A,采用先进的沟槽技术,提供...120V130A低内阻MOS管 KNX2912A产品描述: KNX2912A,采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(导通)、低栅极电荷。可用于多种应用。
80A60V低压MOS管 KNX3306A产品特征 1、RDS(on)=7毫欧(typ)@VGS=10V 2、无铅...80A60V低压MOS管 KNX3306A产品特征 1、RDS(on)=7毫欧(typ)@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关,减少导电损耗 4、高雪崩电流
低压小功率MOS管KIA30N06B-描述 KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch ...低压小功率MOS管KIA30N06B-描述 KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B满足...
电力MOS场效应管-分为结型和绝缘栅型,通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Ox...电力MOS场效应管-分为结型和绝缘栅型,通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET) 结型电力场效应晶体管一...
门电路:用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路(Gate Circu...门电路:用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路(Gate Circuit)或逻辑门(Logic Gate)。门电路是数字集成电路中最基本的逻辑单元。 当门电路的输...
NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A资料 特征: 沟槽功率低压MOSFET技术 优良...NCE4060K替代KND3504A MOS管40V70A资料 特征: 沟槽功率低压MOSFET技术 优良的散热封装 低RDS(ON)的高密度电池设计