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7n80场效应管参数,7n80c场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件，具有极高的可靠性和稳定性，7n80漏极电流7A，漏源击穿电压800V，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，栅极电荷低，仅为27nC，快速切换，操作高效，还具备高坚固性，经过100%雪崩测试，改进的DV/DT功能，进一步提升了性能表现...www.kiaic.com/article/detail/4843.html 2024-03-19
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电源分流器专用,27n80场效应管参数代换,KNK7880A-KIA MOS管
大功率场效应管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流最大值为27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。KNK7880A采用高级平面技术，降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量，高效率低损耗；KNK7880A可以匹配27n80场效应管代换使用。www.kiaic.com/article/detail/4586.html 2023-11-08
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7n80场效应管参数，7n80场效应管代换-KIA MOS管
7n80场效应管工作方式：7A/800V、漏源电压：800V、栅源电压：±30V、漏电流连续：7.0A、脉冲漏极电流：28A、雪崩能量：650mJ、耗散功率：167W、热电阻：62.5℃/W、漏源击穿电压：800Vwww.kiaic.com/article/detail/4423.html 2023-08-14
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7n80场效应管参数规格书 封装详情 技术支持 免费送样-KIA MOS管
7n80场效应管参数型号概述，此功率MOSFET生产是使用SL先进的平面条纹DMOS技术，这个先进的技术是特别定制的，以减少通态电阻，提供优越的开关性能，在雪崩和转换方式下能承受高能脉冲器件，它非常适合高效率开关模式电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑。www.kiaic.com/article/detail/2307.html 2020-08-20