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【收藏】常用的低频功率放大器电路图-KIA MOS管
功率放大器一般也被我们称为电压放大器，主要是把微弱信号进行电压放大，其输入输出的电压电流一般很小，不能够只能驱动功率较大的仪器。为了满足使用需求，需要在放大器末级增加功率放大器。www.kiaic.com/article/detail/4028.html 2023-01-31
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电源IC的功率损耗计算示例-KIA MOS管
图中给出了从“电源IC的损耗”这个角度考虑时相关的部分。本次以输出段的MOSFET内置型IC为例进行说明。相关内容见图中蓝色所示部分。电感除外（因为电感是外置的）。如果计算此前的说明中使用的控制器型IC的损耗的话，是不包括MOSFET和电感损耗的。www.kiaic.com/article/detail/4027.html 2023-01-30
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（DCDC）电源IC损耗计算方法简析-KIA MOS管
在很多情况下，电源IC的技术规格书中给出的是在标准的应用电路中测试得到的效率曲线图（效率 vs 输出电流）。如果所使用的电路条件与规格书中的效率曲线的条件相同或近似，则在自己设计的电路中也可能得到基本相同的效率曲线。www.kiaic.com/article/detail/4026.html 2023-01-30
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同步降压MOSFET电阻比正确选择-KIA MOS管
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。www.kiaic.com/article/detail/4025.html 2023-01-30
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不同封装造成的电压尖峰差异-KIA MOS管
Turn OFF 尖峰根据封装的不同而有差异。图是 SiC MOSFET 的代表性封装, (a)是被广泛采用的TO-247-3L，(b)是近几年渐渐扩大采用的用于驱动电路的源极端子（即所谓的开尔文接法）的TO-247-4L。www.kiaic.com/article/detail/4024.html 2023-01-29
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【电子精选】缓冲电路设计方法-KIA MOS管
图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的LSNB 必须比LTRACE 小。由于CSNB 中积蓄的能量基本不放电，静电容量越大电压尖峰抑制效果变好,但使用的电容器的等价串联电感 (ESL) 也必须考虑到LSNB 中。www.kiaic.com/article/detail/4023.html 2023-01-29
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MOSFET应用-缓冲电路种类介绍-KIA MOS管
RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn ON 时CSNB 中积存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，当开关频率变高时，RSNB 所消耗的电力可能会变为数W，而CSNB 很难很大，所以抑制尖峰的效果也会变得有限。此外，RSNB 的尖峰吸收...www.kiaic.com/article/detail/4022.html 2023-01-29
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SiC MOSFET尖峰产生原因及抑制-KIA MOS管
半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设计方法说明了漏极源极之间的电压尖峰是由于在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中，并与开关元件的寄生电容共振所产生的。www.kiaic.com/article/detail/4021.html 2023-01-13
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小功率电源MOS管驱动电路设计图文-KIA MOS管
对于小功率电源(50W以内)MOS管的驱动电路设计相对简单，只需要一个驱动电阻Rg即可对MOS管进行驱动。此时的驱动开通电阻和关断电阻阻值一致。www.kiaic.com/article/detail/4020.html 2023-01-13
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MOS管驱动电路功率损耗如何计算？详解-KIA MOS管
所有的MOS管导通后都存在导通内阻，当电流流过之后就会产生功率损耗，一般用RDS(ON)来表示，传导损耗一般来说和MOS的大小成反比，体积越大，其导通电阻一般能做的更小。www.kiaic.com/article/detail/4019.html 2023-01-13
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SiC MOSFET桥臂串扰问题 误开通-KIA MOS管
如图1所示为SiC MOSFET的半桥应用电路，上管QH开通过程会在桥臂中点产生高速变化的dv/dt，下管Vds电压变化通过米勒电容CGD产生位移电流，从而在门极驱动电阻和寄生电感上产生正的电压干扰，当电压干扰使得门极电压超过器件的阈值电压就可能导致原本关断的下管误...www.kiaic.com/article/detail/4018.html 2023-01-12
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驱动电路中的误开通如何避免？详解-KIA MOS管
通过调节RON/ROFF 的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度：增大RON/ROFF来减慢MOSFET开通/关断的速度，减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。www.kiaic.com/article/detail/4017.html 2023-01-12
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图文了解驱动电路中的误开通-KIA MOS管
图1显示了米勒效应带来的误开通。当 MOSFET 关断而对管导通时， Vds 电压快速的上升产生高的 dv/dt，从而在电容 Cgd 中产生位移电流( igd)。www.kiaic.com/article/detail/4016.html 2023-01-12
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开关损耗测量中需要注意的问题解析-KIA MOS管
当电压通道和电流通道之间存在时间偏移时，测量结果明显偏高或偏低，而器件的开关速度越快，偏移的影响就越明显。图1为MOS管的关断损耗测量原理图，由此可见，只有经过校正以后，才能得到正确的测量结果。www.kiaic.com/article/detail/4015.html 2023-01-11