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【运放分享】运放的基本概念-KIA MOS管
压摆率在英文里是slew rate，简写为SR。压摆率也称转换速率。压摆率的意思就是运算放大器输出电压的转换速率，单位有通常有V/s，V/ms和V/μs三种，它反映 的是一个运算放大器在速度方面的指标。www.kiaic.com/article/detail/3598.html 2022-06-20
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40V80A场效应管MOS管 KNX3404C 252封装 原厂直销-KIA MOS管
KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可靠性。www.kiaic.com/article/detail/3597.html 2022-06-17
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放大器输入、输出电压范围图文分析-KIA MOS管
输入电压范围（Input Voltage Range），是指放大器两个输入端引入信号的电压范围，也称作共模输入范围（Input Common-Mode Voltage Range）。www.kiaic.com/article/detail/3596.html 2022-06-17
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详解开关电源调节频率被限制的原因-KIA MOS管
对于开关电源，在实际应用中，不是给个驱动就开，拿掉驱动就关掉，有接通延迟时间(tdon)，上升时间(tr)，关断延迟时间(tdoff)和下降时间tf。www.kiaic.com/article/detail/3595.html 2022-06-17
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MOS管在硬件电路开发中的应用分享-KIA MOS管
N-MOS广泛应用于设备通断的控制。例如上图的LED灯控制和电动马达的控制。GPIO口拉高，MOS管就导通，LED灯亮、马达转动。GPIO拉低，MOS管就关闭，LED灯灭，马达就停止转动。www.kiaic.com/article/detail/3594.html 2022-06-16
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【电路分享】MOS管在电源控制中的应用-KIA MOS管
图中有两个型号的MOS管，Q1是N沟道MOS管（型号是FDN335N），Q2是P沟道MOS管（型号是AO3401）。MOS是通过控制栅极和源极之间的电压差（Vgs）来实现导通和截止的。www.kiaic.com/article/detail/3593.html 2022-06-16
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【负载开关】PMOS开关电路图分享-KIA MOS管
如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通，MOS管Q1的VGS<VGSth导通，R5负载上电，关断时负载下电。电路中R3为三极管Q2的限流电阻，R4为偏置电阻，R1R2为Q1的栅极分压电阻，C1C2为输出滤波电容。www.kiaic.com/article/detail/3592.html 2022-06-16
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关于NMOS+PMOS开关电路失效分析-KIA MOS管
PMOS+NMOS作为开机信号，开机要求为高电平开机，最小电压为1.8V，耐压可达17V，为使可靠，选择5V左右（14V4通过100K和56K分压，设计者是这么想的）。但生产时发现此开机按键并不起作用，表现为按下开机按键和不按开机按键都是不开机。www.kiaic.com/article/detail/3591.html 2022-06-15
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开关电源RC吸收电路图文分析-KIA MOS管
这里由于电容具有开关电源开启瞬间短路的性质，所以R12和R15的后级都被短路了，等效电容C0为E3、E5电容并联再与C2串联。而电容串联的计算是等效为电阻并联的计算，即串联的电容越小，等效电容越小，所以我们直接按最小的电容C2进行计算，即等效电容C0为1.2nF，...www.kiaic.com/article/detail/3590.html 2022-06-15
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连续模式PFC功率MOSFET电流有效值、平均值计算-KIA MOS管
在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，功率MOSFET工作在开关状态，将输入的电流斩波为和输入正弦波电压同相位的、具有正弦波包络线的开关电流波形，从而提高输入的功率因数，减小输入谐波分量。www.kiaic.com/article/detail/3589.html 2022-06-15
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MOS管3203 30V100A参数 TO-252封装 原厂送样-KIA MOS管
MOS管3203 30V100A参数-特点RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术极低通阻RDS(通)符合JEDEC标准www.kiaic.com/article/detail/3588.html 2022-06-14
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MOS管散热、功率、电流参数关联分析-KIA MOS管
MOS管有如下参数：Operating Junction ：Tmin-Tmax。Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。www.kiaic.com/article/detail/3587.html 2022-06-14
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【MOS管驱动电路图】电机干扰与防护处理-KIA MOS管
1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高于一定的值,就可以了。MOS管和晶体管向比较 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s （源）。www.kiaic.com/article/detail/3586.html 2022-06-14
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MOS管栅极电阻的功耗计算详解-KIA MOS管
驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH，MOS管寄生电容为1nF，栅极串联电阻为20Ω，这个电阻消耗的功率是多大？www.kiaic.com/article/detail/3585.html 2022-06-13