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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5149 个

  • 【电路精选】MOS管门极驱动电路图文-KIA MOS管

    由于换能器发出的超声波前辐射面声压同施加电压对时间的导数dU/dt成正比,尽量缩短激励脉冲上升时间至关重要。激励脉冲的上升时间主要取决于MOS管的导通速度。

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    www.kiaic.com/article/detail/3584.html         2022-06-13

  • 反激式开关电源变压器设计要点-KIA MOS管

    反激式变压器适合小功率电源以及各种电源适配器。但是反激式变换器的设计难点是变压器的设计,因为输入电压范围宽,特别是在低输入电压,满负载条件下变压器会工作在连续电流模式,而在高输入电压,轻负载条件下变压器又会工作在不连续电流模式。

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    www.kiaic.com/article/detail/3583.html         2022-06-13

  • 【电子精选】振铃现象的解决方法(二)-KIA MOS管

    并行匹配,即使负载端的阻抗与传输线的阻抗匹配。并行匹配是在负载端附近并行接入特定的元件来使负载的阻抗降低到与传输线相匹配的范围内。其主要有以下三种接入方式。

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    www.kiaic.com/article/detail/3582.html         2022-06-10

  • ​【电子精选】振铃现象的解决方法(一)-KIA MOS管

    振铃现象属于信号完整性问题,其解决方法通常为端接匹配技术。进行信号完整性的分析需用到IBIS 模型和EDA工具,其中IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对1/O BUFFER快速准确建模的方法

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    www.kiaic.com/article/detail/3581.html         2022-06-10

  • 开关电源电感电压波形过冲、下冲-KIA MOS管

    过冲和下冲原理是一样的,这里以过冲为例子分析。上面mos管打开的瞬间,可以等效为上图开关闭合的瞬间。可以理解给了一个阶跃信号,因此电压过冲是该RCL电路对阶跃输入电压的输出响应。

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    www.kiaic.com/article/detail/3580.html         2022-06-10

  • 【MOSFET干货】消除推挽过冲讲解-KIA MOS管

    在推挽式驱动结构中,当互补MOSFET开启时,正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而,如图1所示,尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以及互补MOSFET开启时,n通道功率MOSFET的漏极也会出现尖峰电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/3579.html         2022-06-09

  • MOS管RC缓冲电路参数计算详解-KIA MOS管

    为了降低开关节点产生的尖峰电压,可考虑增加RC缓冲电路。在下面的示例中,整流二极管关断(高边开关导通)时,RC缓冲电路可将二极管的接合部、寄生电感、寄生电容、PCB版图的电感中积蓄的电荷放电,并通过电阻转换为热,从而降低尖峰电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/3578.html         2022-06-09

  • 【电子精选】RC吸收电路的设计-KIA MOS管

    保证开关管在开、关过程中du/dt、di/dt足够小,限制开关管上的电压或电流峰值,从而保证开关管正确可靠地运行;并降低EMI的水平。

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    www.kiaic.com/article/detail/3577.html         2022-06-09

  • RC阻容吸收计算公式及硬件设计-KIA MOS管

    阻容吸收器是一个频敏元件,不同于压敏元件(如避雷器)。其可以看作一个典型的串联RC保护电路,R、C、L同时起作用。

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    www.kiaic.com/article/detail/3576.html         2022-06-08

  • 【集成电路设计】MOS管的fT频率分析-KIA MOS管

    MOSFET的电流增益特征频率fT,用于表征MOSFET的电流放大的最高工作频率。

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    www.kiaic.com/article/detail/3575.html         2022-06-08

  • 【图文分享】MOS管参数μCox计算方法-KIA MOS管

    首先在原理图中放上器件,以NMOS为例子,同时分别设置好NMOS沟道长度和宽度,还有将对应器件电压也设置成变量,设成变量方面后面仿真条件下修改参数。

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    www.kiaic.com/article/detail/3574.html         2022-06-08

  • KCX3303S​MOS管 30V95A DFN5*6 原厂送样-KIA MOS管

    RDS(on) =2.2mΩ(typ.) @ VGS =10V先进的沟槽技术低栅电荷高电流能力符合RoHS和无卤素标准

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    www.kiaic.com/article/detail/3573.html         2022-06-07

  • 【H桥驱动模式】单极模式、双极模式-KIA MOS管

    根据对桥臂上MOS的PWM控制方式不同,分为三种控制模式:受限单极模式、单极模式、双极模式。

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    www.kiaic.com/article/detail/3572.html         2022-06-07

  • ​4个MOS管驱动的全桥电路原理-KIA MOS管

    全桥电路在实际的项目中运用的也比较多(比如电机,半导体制冷片等),有时候全桥芯片会达不到我们的需求(比如功率特别大的时候),这时就需要搭建一个符合我们需求的电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/3571.html         2022-06-07

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