-
三极管的饱和区:Ic不随Ib的增大而增大,所以称为饱和区。MOS管的饱和区:Ids不随Vds的增大而增大,所以称为饱和区。
www.kiaic.com/article/detail/3528.html 2022-05-16
-
研究MOSFET特性采用的典型电路:如图所示MOSFET有三个极,分别是栅极G、漏极D、源极S。RL作为载流电阻,V0_out一直等效于Vds。G_in为栅极的输入(在之后的说明中用V1替代)。
www.kiaic.com/article/detail/3527.html 2022-05-16
-
1、信号放大为何放大:1).信号电压太小,不易察觉2).信号功率太小,不能驱动负载3).传输过程中信号易被噪声淹没
www.kiaic.com/article/detail/3526.html 2022-05-16
-
三端稳压管78L08T SOT-89描述:KIA78L08T是一种单片固定稳压集成电路。它适用于应用要求电源电流高达100mA。
www.kiaic.com/article/detail/3525.html 2022-05-13
-
这是使用一个开关创建两种状态的电路,一种状态是将直流电源的(+)和(-)连接到电机,另一种状态是断开电机与直流电源的(+)或(-)的连接。因其可以通过一个开关实现而被称为“单开关电路”。
www.kiaic.com/article/detail/3524.html 2022-05-13
-
一款高速、高压运算放大器(运放),同时还具有高输出功率,以及同样出色的直流精度、噪声和失真性能。市面上很少能见到兼具所有这些特性的运算放大器。但是,您可以使用两个单独的放大器来构建这种放大器,形成复合放大器。
www.kiaic.com/article/detail/3523.html 2022-05-13
-
上一篇文章我们分享的电路都是单极性的:电流在一个方向上流动,但双极性电流电路也是可行的。最简单、使用最广泛的当数Howland电流泵,如图9所示。
www.kiaic.com/article/detail/3522.html 2022-05-13
-
得到稳定的电流输出是极其简单的事情,最简单的方法就是使用电流镜:两个完全相同的晶体管(采用同一块芯片制造,从而工艺、尺寸和温度都完全一致),如图1所示相连。
www.kiaic.com/article/detail/3521.html 2022-05-12
-
电路是电流所流经的路径,或称电子回路,是由电气设备和元器件(用电器),按一定方式联接起来。如电阻、电容、电感、二极管、三极管、电源和开关等,构成的网络。
www.kiaic.com/article/detail/3520.html 2022-05-12
-
同样是PMOS为什么没给出基极的时候,箭头是从外向里,而给出基极的时候,箭头是从里向外?(NMOS同样有着的问题)如下图所示;几种常见的MOSFET电路符号,加上结型场效应管(Junction Field-Effect Transistor,JFET)一起比较:
www.kiaic.com/article/detail/3519.html 2022-05-11
-
MOS集成电路是一种常用的集成电路。最小单元是反相器,由两只金属一氧化物-半导体场效应晶体管组成。这种集成工艺主要用于数字集成电路的制造,电路集成度可以很高。
www.kiaic.com/article/detail/3518.html 2022-05-11
-
cmos(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)是纯种MOS工艺,简单的讲可以在p衬底上做NMOS,在n-well中实现PMOS。最主要的特点就是低功耗; Bicmos就是兼容性的,两者在同一个芯片上生产,事实上这种工艺根据它的侧重点的不同也分为两种 Bicmos工艺极其复杂...
www.kiaic.com/article/detail/3517.html 2022-05-11
-
78L06三端稳压管描述KIA78L06是一种单片固定稳压集成电路。它适用于应用要求电源电流高达100mA。
www.kiaic.com/article/detail/3516.html 2022-05-10
-
为了正确设计电源,首先需要了解所有的瞬态参数,以及它们如何应用于测试。常见的瞬态参数包括:--负载阶跃的大小(以安培为单位或以满载的百分比表示)
www.kiaic.com/article/detail/3515.html 2022-05-10