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下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。在图10控制电路中,上管导通时,VDD通过Q1、Q4对电机进行励磁;上管关断时,电机通过Q4、Q3进行去磁。
www.kiaic.com/article/detail/3556.html 2022-05-30
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功率 MOSFET 的开通过程中可以分为 4 个阶段,关断过程的基本原理和开通过程相类似,以前的文章对其进行过非常详细的叙述,N 沟道功率 MOSFET 放在低端直接驱动的波形如图 1 所示。
www.kiaic.com/article/detail/3555.html 2022-05-27
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MOSFET的dv/dt是指开关瞬态过程中漏极-源极电压的变化率。如果dv/dt太大,可能发生振铃,进而可能导致MOSFET损坏。
www.kiaic.com/article/detail/3554.html 2022-05-27
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dv/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB,导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差vBE,使寄生双极晶体管导通,引起短路并造成失效的现象。
www.kiaic.com/article/detail/3553.html 2022-05-27
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功率器件的很多动态参数可以从器件的数据手册中获取,但是器件手册只给出特定测试条件下的动态参数。当功率回路电压和电流、驱动回路的电压、电阻和外部电容等参数变化时,器件的开关时间也将产生变化,因此在设计时有必要对器件的特定工况进行双脉冲测试,获取...
www.kiaic.com/article/detail/3552.html 2022-05-26
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双脉冲测试是广泛应用于MOSFET和IGBT等功率开关元件特性评估的一种测试方法。该测试不仅可以评估对象元件的开关特性,还可以评估体二极管和IGBT一同使用的快速恢复二极管(FRD)等的反向恢复特性。
www.kiaic.com/article/detail/3551.html 2022-05-26
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下面电路就是利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压,核心板启动之后,输出低电压:
www.kiaic.com/article/detail/3550.html 2022-05-26
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作为放大器,其最重要的功能就是在大信号的支持下且保证一定精度时强调对小信号的增益。本文介绍一个公式(未必完全通用,但一定满足本文介绍的四种放大器)并加以验证来加深对于小信号增益的理解。
www.kiaic.com/article/detail/3549.html 2022-05-25
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导电沟道机理:如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型。如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。
www.kiaic.com/article/detail/3548.html 2022-05-25
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具有自恢复功能的过流保护电路这款无电流取样的过流保护电路具有短路点撤除后能自动恢复输出的特点,保护时较工作时电流要小得多,即使长时间短路,也不会损坏电源,电路如附图。
www.kiaic.com/article/detail/3547.html 2022-05-25
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78L15稳压管描述KIA78L15是一种单片固定稳压集成电路。它适用于应用要求电源电流高达100mA。
www.kiaic.com/article/detail/3546.html 2022-05-24
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RC充放电时间常数串联RC电路的时间常数是一个固定的时间间隔,等于电阻和电容的乘积。
www.kiaic.com/article/detail/3545.html 2022-05-24
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Y电容用来消除共模干扰。分别跨接在电力线两线和地之间(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现,滤除高次谐波,防止干扰,提高输出电压质量。基于漏电流的限制,Y电容值不能太大,Y电容通常采用高压瓷片的。
www.kiaic.com/article/detail/3544.html 2022-05-24
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与纯电阻电路不同,具有电容的电路中的电压不会立即进入稳定状态。当我们把电压源施加到下图RC 电路中,然后当 S1闭合时,电容C两端的电压将从零以指数方式上升到最终值。
www.kiaic.com/article/detail/3543.html 2022-05-23