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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5495 个

  • ESD器件防护原理、性能参数分享-KIA MOS管

    1、最大工作电压(Max Working Voltage)允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值),在此工作状态下ESD器件不导通,保持高阻状态,反向漏电流很小。

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    www.kiaic.com/article/detail/3850.html         2022-10-17

  • ​SiC MOSFET短路特性、短路保护分析-KIA MOS管

    短路故障是导致SiC MOSFET失效的重要原因之一,尽管SiC MOSFET具有较好的导热性能,但与Si器件和SiC MOSFET的短路性能相比,SiC MOSFET的短路保护在以下几个方面更具挑战性。

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    www.kiaic.com/article/detail/3849.html         2022-10-17

  • 开关电源电路:防雷击、防浪涌电路-KIA MOS管

    输入浪涌电流:通常在开关电源启动时,可能需要输入端的主电网提供短时间的大电流脉冲,这种电流脉冲通常被称为输入浪涌电流。

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    www.kiaic.com/article/detail/3848.html         2022-10-17

  • MOS管防倒灌电路 防反接电路优缺点-KIA MOS管

    正向接:VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成;沟道电阻很小,将MOS体二极管短路

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    www.kiaic.com/article/detail/3847.html         2022-10-14

  • 【MOS管电路】usb保护电路图-KIA MOS管

    利用比较器并结合外围电路,设计出一种可以自动探测USB电源输出线是否发了对12V电源或地短路,并且可以在短路故障发生时自动切断电源供应的保护电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/3846.html         2022-10-14

  • 以电路分析开关电源Layout原则-KIA MOS管

    SM和RM两管互补导通,SM导通时电源给电感充电,SM电流i1线性上升;当RM导通时,i1变为0,电感给负载放电,RM电流i2线性下降,具体波形如下图所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/3845.html         2022-10-14

  • KNX2906B N沟道场效应管代换 60V130A HY3306参数代换-KIA MOS管

    ?KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性,包括快速开关时间,低导通电阻,低栅电荷,特别是优异的雪崩特性。

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    www.kiaic.com/article/detail/3844.html         2022-10-13

  • 【电源电路】PMOS防浪涌抑制电路分析-KIA MOS管

    防浪涌抑制电路的基本原理是利用场效应管的电流放大特性,控制输入电流从0逐渐增加,缓慢的为输出侧电容充电,直至场效应管完全导通,从而避免由于输出侧电容的瞬间短路特性导致产生的大电流。

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    www.kiaic.com/article/detail/3836.html         2022-10-13

  • PMOS管作电源开关注意事项:开关速度过快-KIA MOS管

    PMOS管用作电源开关注意事项:PMOS管作电源开关时因开关速度过快导致电源被拉下。

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    www.kiaic.com/article/detail/3835.html         2022-10-13

  • MOS管参数:TJ、TA、TC的计算分享-KIA MOS管

    一般情况下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*RjaP是芯片最大的功耗 Rjc是结壳间的热阻Rja表示结与环境间的热阻

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    www.kiaic.com/article/detail/3834.html         2022-10-12

  • 半导体器件的结温理解分析-KIA MOS管

    结温是处于电子设备中实际半导体芯片(晶圆、裸片)的最高温度。它通常高于外壳温度和器件表面温度。结温可以衡量从半导体晶圆到封装器件外壳间的散热所需时间以及热阻。

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    www.kiaic.com/article/detail/3833.html         2022-10-12

  • 【收藏】电源芯片温升计算分享-KIA MOS管

    芯片温度是指晶体管芯片本身的温度Tj(结温)。芯片温度Tj是周围(环境)温度Ta与芯片发热量相加后的温度,是考虑额定值和寿命时最重要的因素之一。

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    www.kiaic.com/article/detail/3832.html         2022-10-12

  • 电源芯片工作温度的计算、参数含义-KIA MOS管

    TJ:芯片结温(Die junction temperature, °C)TC:芯片封装表面温度(Package case temperature, °C)TB:放置芯片的PCB板温度(Board temperature adjacent to package, °C)

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    www.kiaic.com/article/detail/3831.html         2022-10-11

  • 【详细】开关电源元件参数中英文对照表分享-KIA MOS管

    开关电源关键元件的各个参数中英文对照表

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    www.kiaic.com/article/detail/3830.html         2022-10-11

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