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关于过驱动电压Veff/Vod的分析-KIA MOS管
Veff=VGS-VTH，表示过驱动电压。表示的是栅源电压-阈值电压。其实是一个变值，会随VGS电压变化而变化，也会受VTH的影响（体效应），其实是我们设计过程中可能会经常出现的一个名词，经常会设计一个比较固定的过驱动电压。www.kiaic.com/article/detail/3815.html 2022-09-29
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【电路设计】低电压控制高电压分析-KIA MOS管
CON_IN输入引脚是低电压控制芯片的控制信号，必须能是pnp三极管导通。VCC是低电压通常会是5V或者是12V，1n4007起到保护作用避免有反向电压出现时继电器闭合，电路很简单。www.kiaic.com/article/detail/3814.html 2022-09-29
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电压检测电路：24V低压检测电路分享-KIA MOS管
当电压采样速率低和要求低时，左边电路图即可满足；当采样速率和精度要求比较高时，采用右边电路。www.kiaic.com/article/detail/3813.html 2022-09-28
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图文分享输出电压的欠压保护电路设计-KIA MOS管
板卡供电电源为DC_12V，DC_12V经MP2307降压到5V，给板卡其他功能电路供电。同时板卡上有一超级电容SCB作为备用电源，当DC_12V突然掉电时，可继续由SCB供电，保证数据不丢失。www.kiaic.com/article/detail/3812.html 2022-09-28
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【常用电路】电池包电压检测电路图-KIA MOS管
当我们不检测电池包电压时，我们希望电池包的电消耗很慢。所以，我们让对应单片机 IO 口输出低电平时，此时NMOS管不能导通，表现为一个很大的电阻，最大程度减少电池包电量的损耗。www.kiaic.com/article/detail/3811.html 2022-09-28
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运放电流检测电路-高端检测、低端检测电路-KIA MOS管
此处是低端电流取样检测，根据运放的虚短和虚短的原则，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 这里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1. 然后我们算V+=mos流过电阻电流*R2 ，整理公式：mos流过电流电阻电流=V+/R2=VOUT*R1/(R+R1)/R2。www.kiaic.com/article/detail/3810.html 2022-09-27
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电压 电流采样电路、放大倍数计算-KIA MOS管
假设上图中Vcc为48V，R1 = 47K，R2 = 1K。则根据电阻分压，Vi = 48 * （1/48）=1V。因为虚短：V+ = V-。 （式1）www.kiaic.com/article/detail/3809.html 2022-09-27
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【收藏】MOS管电流采样保护电路图-KIA MOS管
KIA半导体是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业，竭诚服务全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴；www.kiaic.com/article/detail/3808.html 2022-09-27
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基于NMOS的双向电平转换电路实例分享-KIA MOS管
S1端输出低电平，MOS管导通，S2端输出低电平。S1端输出高电平，MOS管截至，S2端输出高电平。S1端输出高阻，MOS管截至，S2端输出高电平 。www.kiaic.com/article/detail/3807.html 2022-09-26
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电路分享：三电源切换电路、双电源切换电路-KIA MOS管
1、Q1、Q2为NMOS，Q3、Q4和Q5为PMOS管，D1为二极管。2、BAT1和BAT2为电池，BAT2的容量比BAT1大，VIN_5V为外部电源，VOUT为输出，给系统供电。3、VOUT会从优先级高的电源取电，优先用外部电源，其次容量大的电池，最后才是容量较小的电池，优先级排序：VIN_5V &...www.kiaic.com/article/detail/3806.html 2022-09-26
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【电路设计】多节锂电池串、并联转换电路图-KIA MOS管
3节18650锂电池，使用一个1开4联开关。充电时把开关拨到上面使用并联，用TP4056降压充电芯片，使用一般的手机充电器即可充电。充满电压为4.2V。放电时把开关拨到下面使用串联，这样放电电压能有3.7*4=11.1V。www.kiaic.com/article/detail/3805.html 2022-09-26
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电动工具、锂电保护板推荐MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管
KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由国内专注研发的优质MOS管厂家生产。KCX2704A是一款SGT工艺产品，是使用LVMOS技术生产的N沟道增强型功率MOSFET。改进的工艺和单元结构特别定制，以最小化导通电阻，提供优越的开关性能。该设备广泛用于UPS和逆变器系统...www.kiaic.com/article/detail/3804.html 2022-09-23
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利用MOS管实现主副电源自动切换电路分享-KIA MOS管
如果主副输入电压相等，同时要求输出也是同样的电压，不能有太大的压降，怎么设计？ 这个电路巧妙的利用了MOS管导通的时候低Rds的特性，相比二极管的方式，在成本控制较低的情况下，极大的提高了效率。www.kiaic.com/article/detail/3803.html 2022-09-23
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分析MOS管导通条件：过程、压降、提高效率-KIA MOS管
导通时序可分为tot1、t1t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。1）[t0-t1]：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。www.kiaic.com/article/detail/3802.html 2022-09-23