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【电子技术】有功功率与无功功率的理解分析-KIA MOS管
在交流电路中，由电源供给负载的电功率有两种：一种是有功功率，一种是无功功率。电压电流同相位，电源向负载供电，负载把电能转换成其他能量，叫有功。电压电流不同相位部分，电源与负载之间交换电能，这部分(除线路损耗外)电能不转换(电磁以外的)成其他能量，...www.kiaic.com/article/detail/3326.html 2022-01-25
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正确比较了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化-KIA MOS管
在不低于几百伏的较高电压下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一个位置的有力竞争产品，它们的数据资料中通常标明特定额定电压、结温和栅极驱动电压下的RDS(ON)值。www.kiaic.com/article/detail/3325.html 2022-01-25
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【图文】如何提高隔离式电源的效率？-KIA MOS管
在大多数降压调节器的典型应用中，使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法。这样能大大提高转换效率，尤其是产生低输出电压时。在需要电流隔离的应用中，也可使用同步整流来提高转换效率。图1所示为副边同步整流的正激转换器。www.kiaic.com/article/detail/3324.html 2022-01-24
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【电子精选】几种负电压电源设计方案-KIA MOS管
此经典电路优点比较明显，电路结构简单、极低干扰噪声、稳定性好；同时此电路也有缺点，输入交流电范围窄（一般是220VAC±5%），体积重量大；虽然此电路缺点明显目前还有一些应用采用此方案设计。此方案主要是利用变压器产生负电压在通过线性稳压器7905进行...www.kiaic.com/article/detail/3323.html 2022-01-24
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智能MOSFET驱动器提升数字电源控制器性能方案-KIA MOS管
电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。www.kiaic.com/article/detail/3322.html 2022-01-24
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KPD8610A -100V-35A MOS管规格书 TO-252封装 原厂-KIA MOS管
KPD8610A使用先进的沟槽MOSFET技术提供优秀的RDS(ON)和栅电荷,用于广泛的其他应用。KPD8610A满足RoHS和绿色产品的要求，100%的EAS保证了完全的功能可靠性。www.kiaic.com/article/detail/3321.html 2022-01-21
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在开关电源设计中充分利用碳化硅的性能优势-KIA MOS管
在过去的几十年中，半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅MOSFET(parasitic parameters)，以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率标准以及市场对效率技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大...www.kiaic.com/article/detail/3320.html 2022-01-21
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【分享】实用的过欠压防反接多功能保护电路-KIA MOS管
在电网中，由于大功率负载关闭等动作，会导致供电电网电压产生很高的过压浪涌，这可能造成设备因为输入端过压浪涌而损坏；当设备输入电压过低时会导致设备工作不稳定，甚至损坏输入电源（电池过放会导致电池性能受损）。www.kiaic.com/article/detail/3319.html 2022-01-21
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PMOS-电池充电器的反向电压保护（二）-KIA MOS管
在此电路中，MP1 是反向电池检测器件，MP2 是反向隔离器件。利用 MP1 的源极至栅极电压来比较电池的正端子与电池充电器输出。如果电池充电器端子电压高于电池电压，则 MP1 将停用主传输器件 MP2。www.kiaic.com/article/detail/3318.html 2022-01-20
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MOSFET-电池充电器的反向电压保护-KIA MOS管
处理电源电压反转有几种众所周知的方法。最明显的方法是在电源和负载之间连接一个二极管，但是由于二极管正向电压的原因，这种做法会产生额外的功耗。虽然该方法很简洁，但是二极管在便携式或备份应用中是不起作用的，因为电池在充电时必须吸收电流，而在不充电...www.kiaic.com/article/detail/3317.html 2022-01-20
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【涨知识】MOS管的发展历程-KIA MOS管
MOS管的全称是金属-氧化物-半导体场效应晶体管。MOS管的发明最早可以追溯到19世纪30年代，由德国人提出了Lilienfeld场效应晶体管的概念，之后贝尔实验室的肖特基发明者Shcokley等人也尝试过研究发明场效应管，但是都失败了。1949年Shcokley提出了注入少子的双极...www.kiaic.com/article/detail/3316.html 2022-01-20
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【实用电路】N沟道MOS管做电平转换-KIA MOS管
双向传输原理：为了方便讲述，定义 3.3V 为 A 端，5.0V 为 B 端。A端输出低电平时（0V），MOS管导通，B端输出是低电平（0V） A端输出高电平时（3.3V），MOS管截至，B端输出是高电平（5V）www.kiaic.com/article/detail/3315.html 2022-01-19
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如何判断MOS管是否被击穿？及解决方法-KIA MOS管
MOS管有三个电极，即栅极G，漏极D和源极S，大多数情况下，带有丝印的一面面向我们，从左至右依次为栅极，漏极，源极（有例外），所以我们只要根据以下方法进行测量就可以了，无需分辨脚位（多数情况下）。www.kiaic.com/article/detail/3314.html 2022-01-19
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【经典电路】双稳态一键开关机电路分享-KIA MOS管
原理：Q1,Q2组成双稳态电路。 由于C1的作用，上电的时候Q1先导通 ，Q2截止，如果没按下按键，电路将维持这个状态。Q3为 P沟道增强型MOS管，因为Q2截止，Q3也截止，系统得不到电源。www.kiaic.com/article/detail/3313.html 2022-01-19